Περιγραφή της προμήθειας
Σύστημα Φασματομετρίας Ακτίνων-Χ Φωτοηλεκτρονίων για λειτουργία κοντά σε Ατμοσφαιρική Πίεση (NAP-XPS), ποσότητα (τεμάχιο): 1, CPV: 33114000
Το σύστημα θα πρέπει να αποτελείται από θάλαμο ανάλυσης με μηχανισμό κλειδώματος (load lock) και να περιλαμβάνει τα ακόλουθα:
• Μονάδα ανάλυσης με θάλαμο από ανοξείδωτο χάλυβα με μαγνητικά πηνία για αντιστάθμιση μαγνητικού πεδίου και πίεση με βάση κενού καλύτερη από 9 x 10-10 mbar
• Ημισφαιρικό αναλυτή υψηλής μετάδοσης (transmission) με μεγάλη γωνία συλλογής-πρόσπτωσης (angular acceptance), για τις υψηλότερες μετρήσεις (count rates) υπό συνθήκες NAP
• Υψηλής απόδοσης μικρού σημείου πρόσπτωσης (small spot) μονοχρωματική πηγή ακτίνων X-ray με άνοδο Al Kα
• 4-αξόνων χειριστή δείγματος (manipulator) με θέρμανση laser
• Τράπεζα δείγματος ψυχόμενη με peltier για ανάλυση υγρών και αντίστοιχη είσοδο για υγρό δείγμα και εξοπλισμένη με ελεγκτή ροής μάζας για ατμούς
• Σύστημα πλήρους αυτοματοποιημένης εισόδου συστήματος πέντε (5) αερίων τα οποία θα πρέπει να περιλαμβάνουν τρείς (3) ρυθμιστές ροής μάζας (mass flow controllers) και δύο (2) ρυθμιστές ροής μάζας χαμηλής διαφορικής πίεσης (Low ΔP flow mass controllers). Θα πρέπει να υπάρχει είσοδος, ώστε να διαθέτει το σύστημα δυνατότητα να δεχτεί μελλοντικά και ένα επιπλέον αέριο
• Κάμερα με προστασία από laser (laser safe) για απεικόνιση δείγματος
• Φασματόμετρο μάζας για ανάλυση των παραγώγων της αντίδρασης (reaction educts and products species)
• Χειριστή (manipulator) με ηλεκτροχημικό κελίο (EC cell) συνεχούς ροής
• Μηχανισμό κλειδώματος φορτίου με αποθήκευση του δείγματος
• Δυνατότητα μελλοντικής προσθήκης μηχανισμού Flood gun για αντιστάθμιση φορτίου κατά τη διάρκεια πειραμάτων UHV
• Θύρα για μελλοντική μη μονοχρωματική πηγή ακτίνων Χ διπλής ανόδου
• Λογισμικό ελέγχου και μέτρησης συστήματος το οποίο θα πρέπει να περιλαμβάνει έλεγχο του συστήματος κενού, παρακολούθηση και καταγραφή σχετικών παραμέτρων
• Πλαίσιο στήριξης συστήματος, σύστημα καθαρισμού υψηλής θερμοκρασίας (bake-out) και σύστημα μέτρησης πίεσης
• Δυνατότητα μελλοντικής προσθήκης μη μονοχρωματικής πηγής UV για μετρήσεις NAP-UPS
• Δυνατότητα μελλοντικής υποδοχής μηχανισμού ανάλυσης βάθους (sputtering depth profiling) από προαιρετική πηγή ιόντων ή σύστημα συμπλέγματος αερίου δέσμης ιόντων (gas cluster ion beam) για πειράματα UHV
Επιπλέον, θα πρέπει να παρέχονται από τον κατασκευαστή εργαστηριακές μετρήσεις NAP-XPS οι οποίες θα πρέπει να δείχνουν τουλάχιστον ποσοστά καταμέτρησης για το Ag 3d, μετρούμενο με μονόχρωμη πηγή ακτίνων Χ με άνοδο Al Kα και ακροφύσιο ημισφαιρικού αναλυτή 250-300 μm, ως ακολούθως:
‐ UHV: 70 kcps (εγγυημένο), 150 kcps (εφικτό) για FWHM < 0.85 eV
‐ 10 mbar N2: 7 kcps (εγγυημένο), 15 kcps (εφικτό) for FWHM < 0.85 eV
‐ 25 mbar N2: 0.5 kcps (εγγυημένο), 1.5 kcps (εφικτό) για FWHM < 0.85 eV
Απόλυτα επιθυμητός ο συνδυασμός γωνίας πρόσπτωσης ανιχνευτή (Angular acceptance) ίσης ή μεγαλύτερης > 40°, μονοχρωματικής πηγής για εστίαση κάτω από < 250 μικρά, με αντίστοιχης τάξης ακροφύσιο και υψηλές μετρήσεις kcps, ως απαιτούνται κατωτέρω.